October 10, 2007 at 5:49 am · Filed under 资讯 - 最新消息
一家中国台湾研究机构称，它将在三年内推出相变内存（PRAM)，另一种与DRAM内存竞争的MRAM技术（磁性随机储存）也将在2008年底进入实用阶段。
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